文章來(lái)源：中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)公司 發(fā)布時(shí)間：2014-01-09
近日，中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)北方通用電子集團(tuán)有限公司博普公司開(kāi)發(fā)出性能達(dá)到初樣設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的高頻、寬帶大功率微波器件樣品。該寬頻的微波功率器件在國(guó)內(nèi)屬于領(lǐng)先水平。
該款大功率微波器件為S波段頻率，范圍為2.7GHz～3.5GHz，寬度達(dá)800MHz，功率為60W。目前，已經(jīng)完成預(yù)匹配型寬帶微波功率器件的設(shè)計(jì)驗(yàn)證及樣品測(cè)試，測(cè)試性能達(dá)到了初樣設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。
該微波功率器件使用的芯片材料具有寬帶隙、大電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、耐高電壓、耐高溫、抗腐蝕、耐輻照等突出優(yōu)點(diǎn)，特別適合制作高頻、高效率、耐高溫、耐高電壓的大功率微波器件。基于該材料高電子遷移率晶體管（HEMT）具有輸出功率密度大、耐高溫、耐輻照等特點(diǎn)，能滿(mǎn)足下一代電子裝備對(duì)微波功率器件更大功率、更高頻率、更小體積、更寬頻帶和更惡劣條件（更高溫度）下工作的要求。