30V~200V先進(jìn)中低壓功率MOSFET–SGT系列產(chǎn)品
文章來源：華潤（集團(tuán)）有限公司 發(fā)布時(shí)間：2021-05-21
16．30V~200V先進(jìn)中低壓功率MOSFET–SGT系列產(chǎn)品
【所屬領(lǐng)域】核心電子元器件
【中央企業(yè)名稱】華潤（集團(tuán)）有限公司
【技術(shù)產(chǎn)品簡介】SGT MOS器件是新一代MOS型功率器件，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛、電源和電池控制、工業(yè)控制等領(lǐng)域，具有良好的應(yīng)用前景。
SGT MOS器件是目前理想的中低壓功率器件,該器件利用電荷補(bǔ)償原理能夠同時(shí)獲得極低的導(dǎo)通電阻Ron、柵極電荷Qg以及米勒電荷Qgd，能夠有效地降低系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，從而提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率，提高了功率密度，減少器件的并聯(lián)需求，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
【產(chǎn)品圖片】
圖1 TO-220產(chǎn)品
圖2 DFN5x6產(chǎn)品
圖3 電機(jī)控制器應(yīng)用
【技術(shù)指標(biāo)】
1．單位面積導(dǎo)通電阻Rsp—MOSFET導(dǎo)通電阻（單位面積），越低越好：Rsp=33m?.mm2 (100V MOSFET)
2．品質(zhì)因子FOM—MOSFET Ron*Qg，越低越好：FOM=146m?.nC
聯(lián)系人：陳鈞 聯(lián)系電話：13701510699
【責(zé)任編輯：家正】
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