基于RISC-V內(nèi)核的物聯(lián)網(wǎng)LTE-Cat1通信芯片
文章來源：中國移動通信集團(tuán)有限公司 發(fā)布時(shí)間：2024-02-28
【成果簡介】
基于RISC-V內(nèi)核架構(gòu)的LTE-Cat1通信芯片，可填補(bǔ)國內(nèi)基于RISC-V內(nèi)核的物聯(lián)網(wǎng)LTE-Cat1芯片產(chǎn)品的空白，進(jìn)行物聯(lián)網(wǎng)LTE-Cat1芯片中ARM內(nèi)核的國產(chǎn)化替代。芯片在集成度、功耗、性價(jià)比等綜合方面均達(dá)到國內(nèi)優(yōu)秀水平。芯片率先將基帶處理器、電源管理單元和RF Transceiver集成在單芯片上，通過產(chǎn)品架構(gòu)的優(yōu)化，芯片面積小于15mm2，優(yōu)于競品；且芯片采用物聯(lián)網(wǎng)通信芯片領(lǐng)域先進(jìn)的22nm工藝，配合從系統(tǒng)級到單元級的全面低功耗設(shè)計(jì)，使得edrx休眠功耗實(shí)測小于1.5mA（0.75mA），在業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位；同時(shí)，依托聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，雙方實(shí)現(xiàn)了長期、穩(wěn)固的深度合作，推動創(chuàng)投融資對接，實(shí)現(xiàn)技術(shù)與資本同頻互動、相互賦能。
【主要指標(biāo)】
（一）芯片內(nèi)核：RISC-V
（二）芯片主頻：624MHz
（三）芯片工藝：22nm ULL
（四）芯片內(nèi)存：PSRAM 16MB；Nor Flash 8MB
（五）芯片集成度：集成射頻收發(fā)器，電源管理模塊
（六）芯片協(xié)議棧：R13
（七）芯片休眠功耗：1.3mA
【應(yīng)用推廣需求】
（一）應(yīng)用推廣方式：銷售
（二）應(yīng)用推廣領(lǐng)域：智慧城市、智慧家庭、資產(chǎn)管理、能源表計(jì)、物流、通信模組等采用蜂窩物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域
【成果圖片】
【聯(lián)系人】
集團(tuán)聯(lián)系人：柴瑜，13701071691；孫喜桐，13811623950，sunxitong@chinamobile.com
成果聯(lián)系人：馬玉杰，13810553375，mayujie@cmiot.chinamobile.com
【責(zé)任編輯：梁詠詩】
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