SiC JBS器件及系列化產(chǎn)品
文章來源：華潤(rùn)（集團(tuán)）有限公司 發(fā)布時(shí)間：2024-02-28
【成果簡(jiǎn)介】
SiC JBS較傳統(tǒng)Si二極管器件有更高的耐壓水平，更低的漏電以及近乎為“零”的優(yōu)秀反向恢復(fù)，使SiC JBS器件可以工作在更高工作頻率下，比Si更高的材料禁帶寬度及高熱導(dǎo)率特性，使SiC JBS器件可以工作在更高結(jié)溫環(huán)境下。
華潤(rùn)微最新的G2 SiC JBS平臺(tái)是自主開發(fā)的第四代精細(xì)元胞結(jié)構(gòu)及超薄減薄工藝平臺(tái)，通過優(yōu)化元胞及終端設(shè)計(jì)，配合超薄SiC襯底減薄，在降低Vf典型值10%的情況下，芯片面積較前一代縮小20%，同時(shí)搭配多層鈍化和激光劃片技術(shù)，產(chǎn)品可靠性達(dá)到工規(guī)+，其典型產(chǎn)品通過車規(guī)可靠性摸底。目前G2平臺(tái)系列產(chǎn)品在浪涌能力相同的情況下，反向耐壓及正向?qū)ㄌ匦砸堰_(dá)到國(guó)際頭部企業(yè)技術(shù)水平，其產(chǎn)品性能處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)。
【主要指標(biāo)】
（一）擊穿電壓VBR：＞650V
（二）反向漏電IR：＜50uA
（三）正向壓降VF：＜1.5V
【應(yīng)用推廣需求】
（一）應(yīng)用推廣方式：銷售
（二）應(yīng)用推廣領(lǐng)域：新能源汽車、充電樁、光伏逆變、高端電源等
【成果圖片】
產(chǎn)品照片
產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景照片
【聯(lián)系人】
集團(tuán)聯(lián)系人：楊華勝，15901036652，yanghuasheng3@crc.com.hk
成果聯(lián)系人：孫永生，15261528595，sunyongsheng1@crmicro.com
【責(zé)任編輯：梁詠詩】
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