SiC MOSFET器件及系列化產(chǎn)品
文章來源：華潤(rùn)（集團(tuán)）有限公司 發(fā)布時(shí)間：2024-02-28
【成果簡(jiǎn)介】
SiC MOSFET較傳統(tǒng)Si基MOSFET器件有更高的耐壓水平，更低的漏電，更快速的開關(guān)以及優(yōu)秀的體二極管恢復(fù)特性，使SiC MOSFET器件可以工作在更高工作頻率下，比Si材料具有更高的禁帶寬度及高熱導(dǎo)率特性，使SiC MOSFET器件可以工作在更高溫度結(jié)溫環(huán)境下。
目前華潤(rùn)微電子SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，通過優(yōu)化正面元胞結(jié)構(gòu)，大大降低了Rdson電阻，同時(shí)在P阱區(qū)之間JFET中部反向耐壓電場(chǎng)也得到明顯改善，提高了器件工作可靠性。對(duì)比國際頭部企業(yè)技術(shù)產(chǎn)品，目前在該平臺(tái)上的系列產(chǎn)品在耐壓能力、導(dǎo)通特性、短路及浪涌能力等方面，全面達(dá)到同等水平，產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)的水平。
【主要指標(biāo)】
（一）擊穿電壓：＞1200V
（二）電流：30A
（三）導(dǎo)通電阻：＜90mΩ
【應(yīng)用推廣需求】
（一）應(yīng)用推廣方式：銷售
（二）應(yīng)用推廣領(lǐng)域：新能源汽車、充電樁、光伏逆變、高端電源等
【成果圖片】
產(chǎn)品照片
應(yīng)用場(chǎng)景照片
【聯(lián)系人】
集團(tuán)聯(lián)系人：楊華勝，15901036652，yanghuasheng3@crc.com.hk
成果聯(lián)系人：孫永生，15261528595，sunyongsheng1@crmicro.com
【責(zé)任編輯：梁詠詩】
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